Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STD7NM80-1
MOSFET N-CH 800V 6.5A IPAK
Číslo dílu
STD7NM80-1
Výrobce/značka
Série
MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
I-PAK
Ztráta energie (max.)
90W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 3.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7615 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STD7NM80-1
STD7NM80-1 Elektronické komponenty
STD7NM80-1 Odbyt
STD7NM80-1 Dodavatel
STD7NM80-1 Distributor
STD7NM80-1 Datová tabulka
STD7NM80-1 Fotky
STD7NM80-1 Cena
STD7NM80-1 Nabídka
STD7NM80-1 Nejnižší cena
STD7NM80-1 Vyhledávání
STD7NM80-1 Nákup
STD7NM80-1 Chip