Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB8NM60T4

STB8NM60T4

MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Číslo dílu
STB8NM60T4
Výrobce/značka
Série
MDmesh™
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27613 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STB8NM60T4
STB8NM60T4 Elektronické komponenty
STB8NM60T4 Odbyt
STB8NM60T4 Dodavatel
STB8NM60T4 Distributor
STB8NM60T4 Datová tabulka
STB8NM60T4 Fotky
STB8NM60T4 Cena
STB8NM60T4 Nabídka
STB8NM60T4 Nejnižší cena
STB8NM60T4 Vyhledávání
STB8NM60T4 Nákup
STB8NM60T4 Chip