STB80N20M5
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
Číslo dílu
STB80N20M5
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ V
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
61A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 30.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
104nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4329pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52542 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB80N20M5
STB80N20M5 Elektronické komponenty
STB80N20M5 Odbyt
STB80N20M5 Dodavatel
STB80N20M5 Distributor
STB80N20M5 Datová tabulka
STB80N20M5 Fotky
STB80N20M5 Cena
STB80N20M5 Nabídka
STB80N20M5 Nejnižší cena
STB80N20M5 Vyhledávání
STB80N20M5 Nákup
STB80N20M5 Chip