Koupit STMicroelectronics STB4NK60Z-1 MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.

Zobrazit více informací DataSheets

STB4NK60Z-1

MOSFET N-CH 600V 4A I2PAK

Číslo dílu

STB4NK60Z-1

Výrobce/značka

STMicroelectronics

Série

SuperMESH™

Stav sekce

Not For New Designs

Obal

Tube

Technika

MOSFET (Metal Oxide)

Provozní teplota

150°C (TJ)

Typ montáže

Through Hole

Balíček/pouzdro

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Dodavatelský balíček zařízení

I2PAK

Ztráta energie (max.)

70W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkce FET

Odvod ke zdroji napětí (Vdss)

600V

Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C

4A (Tc)

Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs

2 Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 25V

Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)

10V

VGS (max.)

±30V

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.

Na skladě 52403 PCS

Kontaktní informace

Související produkty