Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB30NM50N

STB30NM50N

MOSFET N-CH 500V 27A D2PAK
Číslo dílu
STB30NM50N
Výrobce/značka
Série
MDmesh™ II
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
190W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
27A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
115 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
94nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2740pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15812 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova STB30NM50N
STB30NM50N Elektronické komponenty
STB30NM50N Odbyt
STB30NM50N Dodavatel
STB30NM50N Distributor
STB30NM50N Datová tabulka
STB30NM50N Fotky
STB30NM50N Cena
STB30NM50N Nabídka
STB30NM50N Nejnižší cena
STB30NM50N Vyhledávání
STB30NM50N Nákup
STB30NM50N Chip