Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
STB12NM50ND
MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK
Číslo dílu
STB12NM50ND
Výrobce/značka
Série
FDmesh™ II
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
380 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
850pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29493 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova STB12NM50ND
STB12NM50ND Elektronické komponenty
STB12NM50ND Odbyt
STB12NM50ND Dodavatel
STB12NM50ND Distributor
STB12NM50ND Datová tabulka
STB12NM50ND Fotky
STB12NM50ND Cena
STB12NM50ND Nabídka
STB12NM50ND Nejnižší cena
STB12NM50ND Vyhledávání
STB12NM50ND Nákup
STB12NM50ND Chip