Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 0.1A VMT3
Číslo dílu
RZM001P02T2L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-723
Dodavatelský balíček zařízení
VMT3
Ztráta energie (max.)
150mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33311 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RZM001P02T2L
RZM001P02T2L Elektronické komponenty
RZM001P02T2L Odbyt
RZM001P02T2L Dodavatel
RZM001P02T2L Distributor
RZM001P02T2L Datová tabulka
RZM001P02T2L Fotky
RZM001P02T2L Cena
RZM001P02T2L Nabídka
RZM001P02T2L Nejnižší cena
RZM001P02T2L Vyhledávání
RZM001P02T2L Nákup
RZM001P02T2L Chip