RYC002N05T316
MOSFET N-CHANNEL 50V 200MA SST3
Číslo dílu
RYC002N05T316
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SST3
Ztráta energie (max.)
350mW (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
26pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20046 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RYC002N05T316
RYC002N05T316 Elektronické komponenty
RYC002N05T316 Odbyt
RYC002N05T316 Dodavatel
RYC002N05T316 Distributor
RYC002N05T316 Datová tabulka
RYC002N05T316 Fotky
RYC002N05T316 Cena
RYC002N05T316 Nabídka
RYC002N05T316 Nejnižší cena
RYC002N05T316 Vyhledávání
RYC002N05T316 Nákup
RYC002N05T316 Chip