Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
Číslo dílu
RW1C020UNT2R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Dodavatelský balíček zařízení
6-WEMT
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49639 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RW1C020UNT2R
RW1C020UNT2R Elektronické komponenty
RW1C020UNT2R Odbyt
RW1C020UNT2R Dodavatel
RW1C020UNT2R Distributor
RW1C020UNT2R Datová tabulka
RW1C020UNT2R Fotky
RW1C020UNT2R Cena
RW1C020UNT2R Nabídka
RW1C020UNT2R Nejnižší cena
RW1C020UNT2R Vyhledávání
RW1C020UNT2R Nákup
RW1C020UNT2R Chip