RW1A030APT2CR
MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6
Číslo dílu
RW1A030APT2CR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Dodavatelský balíček zařízení
6-WEMT
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
42 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
-8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32256 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RW1A030APT2CR
RW1A030APT2CR Elektronické komponenty
RW1A030APT2CR Odbyt
RW1A030APT2CR Dodavatel
RW1A030APT2CR Distributor
RW1A030APT2CR Datová tabulka
RW1A030APT2CR Fotky
RW1A030APT2CR Cena
RW1A030APT2CR Nabídka
RW1A030APT2CR Nejnižší cena
RW1A030APT2CR Vyhledávání
RW1A030APT2CR Nákup
RW1A030APT2CR Chip