RW1A013ZPT2R
MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6
Číslo dílu
RW1A013ZPT2R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Dodavatelský balíček zařízení
6-WEMT
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46009 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RW1A013ZPT2R
RW1A013ZPT2R Elektronické komponenty
RW1A013ZPT2R Odbyt
RW1A013ZPT2R Dodavatel
RW1A013ZPT2R Distributor
RW1A013ZPT2R Datová tabulka
RW1A013ZPT2R Fotky
RW1A013ZPT2R Cena
RW1A013ZPT2R Nabídka
RW1A013ZPT2R Nejnižší cena
RW1A013ZPT2R Vyhledávání
RW1A013ZPT2R Nákup
RW1A013ZPT2R Chip