RUR020N02TL
MOSFET N-CH 20V 2A TSMT3
Číslo dílu
RUR020N02TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-96
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT3
Ztráta energie (max.)
540mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
180pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35555 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RUR020N02TL
RUR020N02TL Elektronické komponenty
RUR020N02TL Odbyt
RUR020N02TL Dodavatel
RUR020N02TL Distributor
RUR020N02TL Datová tabulka
RUR020N02TL Fotky
RUR020N02TL Cena
RUR020N02TL Nabídka
RUR020N02TL Nejnižší cena
RUR020N02TL Vyhledávání
RUR020N02TL Nákup
RUR020N02TL Chip