RUC002N05T116
MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
Číslo dílu
RUC002N05T116
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SST3
Ztráta energie (max.)
200mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
25pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20312 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RUC002N05T116
RUC002N05T116 Elektronické komponenty
RUC002N05T116 Odbyt
RUC002N05T116 Dodavatel
RUC002N05T116 Distributor
RUC002N05T116 Datová tabulka
RUC002N05T116 Fotky
RUC002N05T116 Cena
RUC002N05T116 Nabídka
RUC002N05T116 Nejnižší cena
RUC002N05T116 Vyhledávání
RUC002N05T116 Nákup
RUC002N05T116 Chip