RT1C060UNTR
MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Číslo dílu
RT1C060UNTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSST
Ztráta energie (max.)
650mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
28 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
870pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40235 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RT1C060UNTR
RT1C060UNTR Elektronické komponenty
RT1C060UNTR Odbyt
RT1C060UNTR Dodavatel
RT1C060UNTR Distributor
RT1C060UNTR Datová tabulka
RT1C060UNTR Fotky
RT1C060UNTR Cena
RT1C060UNTR Nabídka
RT1C060UNTR Nejnižší cena
RT1C060UNTR Vyhledávání
RT1C060UNTR Nákup
RT1C060UNTR Chip