RT1A050ZPTR
MOSFET P-CH 12V 5A TSST8
Číslo dílu
RT1A050ZPTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
8-TSST
Ztráta energie (max.)
600mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
26 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48228 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RT1A050ZPTR
RT1A050ZPTR Elektronické komponenty
RT1A050ZPTR Odbyt
RT1A050ZPTR Dodavatel
RT1A050ZPTR Distributor
RT1A050ZPTR Datová tabulka
RT1A050ZPTR Fotky
RT1A050ZPTR Cena
RT1A050ZPTR Nabídka
RT1A050ZPTR Nejnižší cena
RT1A050ZPTR Vyhledávání
RT1A050ZPTR Nákup
RT1A050ZPTR Chip