Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RSJ650N10TL
MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Číslo dílu
RSJ650N10TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
LPTS
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
9.1 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
10780pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 46975 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RSJ650N10TL
RSJ650N10TL Elektronické komponenty
RSJ650N10TL Odbyt
RSJ650N10TL Dodavatel
RSJ650N10TL Distributor
RSJ650N10TL Datová tabulka
RSJ650N10TL Fotky
RSJ650N10TL Cena
RSJ650N10TL Nabídka
RSJ650N10TL Nejnižší cena
RSJ650N10TL Vyhledávání
RSJ650N10TL Nákup
RSJ650N10TL Chip