Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RSJ10HN06TL
MOSFET N-CH 60V 100A LPTS
Číslo dílu
RSJ10HN06TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
LPTS
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
202nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11000pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48825 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RSJ10HN06TL
RSJ10HN06TL Elektronické komponenty
RSJ10HN06TL Odbyt
RSJ10HN06TL Dodavatel
RSJ10HN06TL Distributor
RSJ10HN06TL Datová tabulka
RSJ10HN06TL Fotky
RSJ10HN06TL Cena
RSJ10HN06TL Nabídka
RSJ10HN06TL Nejnižší cena
RSJ10HN06TL Vyhledávání
RSJ10HN06TL Nákup
RSJ10HN06TL Chip