RQ3L050GNTB
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
Číslo dílu
RQ3L050GNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
14.8W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
61 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22972 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3L050GNTB
RQ3L050GNTB Elektronické komponenty
RQ3L050GNTB Odbyt
RQ3L050GNTB Dodavatel
RQ3L050GNTB Distributor
RQ3L050GNTB Datová tabulka
RQ3L050GNTB Fotky
RQ3L050GNTB Cena
RQ3L050GNTB Nabídka
RQ3L050GNTB Nejnižší cena
RQ3L050GNTB Vyhledávání
RQ3L050GNTB Nákup
RQ3L050GNTB Chip