Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RQ3G150GNTB
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Číslo dílu
RQ3G150GNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
39A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
7.2 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
11.6nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1450pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 10703 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3G150GNTB
RQ3G150GNTB Elektronické komponenty
RQ3G150GNTB Odbyt
RQ3G150GNTB Dodavatel
RQ3G150GNTB Distributor
RQ3G150GNTB Datová tabulka
RQ3G150GNTB Fotky
RQ3G150GNTB Cena
RQ3G150GNTB Nabídka
RQ3G150GNTB Nejnižší cena
RQ3G150GNTB Vyhledávání
RQ3G150GNTB Nákup
RQ3G150GNTB Chip