RQ3E160ADTB
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Číslo dílu
RQ3E160ADTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
16A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2550pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 47893 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB Elektronické komponenty
RQ3E160ADTB Odbyt
RQ3E160ADTB Dodavatel
RQ3E160ADTB Distributor
RQ3E160ADTB Datová tabulka
RQ3E160ADTB Fotky
RQ3E160ADTB Cena
RQ3E160ADTB Nabídka
RQ3E160ADTB Nejnižší cena
RQ3E160ADTB Vyhledávání
RQ3E160ADTB Nákup
RQ3E160ADTB Chip