Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RQ3E075ATTB
MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT
Číslo dílu
RQ3E075ATTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
15W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10.4nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 23747 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3E075ATTB
RQ3E075ATTB Elektronické komponenty
RQ3E075ATTB Odbyt
RQ3E075ATTB Dodavatel
RQ3E075ATTB Distributor
RQ3E075ATTB Datová tabulka
RQ3E075ATTB Fotky
RQ3E075ATTB Cena
RQ3E075ATTB Nabídka
RQ3E075ATTB Nejnižší cena
RQ3E075ATTB Vyhledávání
RQ3E075ATTB Nákup
RQ3E075ATTB Chip