RQ3E130MNTB1
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Číslo dílu
RQ3E130MNTB1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.1 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
840pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15353 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3E130MNTB1
RQ3E130MNTB1 Elektronické komponenty
RQ3E130MNTB1 Odbyt
RQ3E130MNTB1 Dodavatel
RQ3E130MNTB1 Distributor
RQ3E130MNTB1 Datová tabulka
RQ3E130MNTB1 Fotky
RQ3E130MNTB1 Cena
RQ3E130MNTB1 Nabídka
RQ3E130MNTB1 Nejnižší cena
RQ3E130MNTB1 Vyhledávání
RQ3E130MNTB1 Nákup
RQ3E130MNTB1 Chip