RQ3E120GNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT
Číslo dílu
RQ3E120GNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 16W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8.8 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
590pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21282 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3E120GNTB
RQ3E120GNTB Elektronické komponenty
RQ3E120GNTB Odbyt
RQ3E120GNTB Dodavatel
RQ3E120GNTB Distributor
RQ3E120GNTB Datová tabulka
RQ3E120GNTB Fotky
RQ3E120GNTB Cena
RQ3E120GNTB Nabídka
RQ3E120GNTB Nejnižší cena
RQ3E120GNTB Vyhledávání
RQ3E120GNTB Nákup
RQ3E120GNTB Chip