RQ3E100BNTB
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Číslo dílu
RQ3E100BNTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27548 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3E100BNTB
RQ3E100BNTB Elektronické komponenty
RQ3E100BNTB Odbyt
RQ3E100BNTB Dodavatel
RQ3E100BNTB Distributor
RQ3E100BNTB Datová tabulka
RQ3E100BNTB Fotky
RQ3E100BNTB Cena
RQ3E100BNTB Nabídka
RQ3E100BNTB Nejnižší cena
RQ3E100BNTB Vyhledávání
RQ3E100BNTB Nákup
RQ3E100BNTB Chip