Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RQ3C150BCTB
MOSFET P-CHANNEL 20V 30A 8HSMT
Číslo dílu
RQ3C150BCTB
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-PowerVDFN
Dodavatelský balíček zařízení
8-HSMT (3.2x3)
Ztráta energie (max.)
20W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.7 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48022 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ3C150BCTB
RQ3C150BCTB Elektronické komponenty
RQ3C150BCTB Odbyt
RQ3C150BCTB Dodavatel
RQ3C150BCTB Distributor
RQ3C150BCTB Datová tabulka
RQ3C150BCTB Fotky
RQ3C150BCTB Cena
RQ3C150BCTB Nabídka
RQ3C150BCTB Nejnižší cena
RQ3C150BCTB Vyhledávání
RQ3C150BCTB Nákup
RQ3C150BCTB Chip