RQ1E070RPTR
MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8
Číslo dílu
RQ1E070RPTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT8
Ztráta energie (max.)
550mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 39997 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ1E070RPTR
RQ1E070RPTR Elektronické komponenty
RQ1E070RPTR Odbyt
RQ1E070RPTR Dodavatel
RQ1E070RPTR Distributor
RQ1E070RPTR Datová tabulka
RQ1E070RPTR Fotky
RQ1E070RPTR Cena
RQ1E070RPTR Nabídka
RQ1E070RPTR Nejnižší cena
RQ1E070RPTR Vyhledávání
RQ1E070RPTR Nákup
RQ1E070RPTR Chip