RQ1A060ZPTR
MOSFET P-CH 12V 6A TSMT8
Číslo dílu
RQ1A060ZPTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Discontinued at Digi-Key
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-SMD, Flat Lead
Dodavatelský balíček zařízení
TSMT8
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
23 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
34nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 22467 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RQ1A060ZPTR
RQ1A060ZPTR Elektronické komponenty
RQ1A060ZPTR Odbyt
RQ1A060ZPTR Dodavatel
RQ1A060ZPTR Distributor
RQ1A060ZPTR Datová tabulka
RQ1A060ZPTR Fotky
RQ1A060ZPTR Cena
RQ1A060ZPTR Nabídka
RQ1A060ZPTR Nejnižší cena
RQ1A060ZPTR Vyhledávání
RQ1A060ZPTR Nákup
RQ1A060ZPTR Chip