RP1A090ZPTR
MOSFET P-CH 12V 9A MPT6
Číslo dílu
RP1A090ZPTR
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-SMD, Flat Leads
Dodavatelský balíček zařízení
MPT6
Ztráta energie (max.)
2W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
12V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
12 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7400pF @ 6V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14703 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RP1A090ZPTR
RP1A090ZPTR Elektronické komponenty
RP1A090ZPTR Odbyt
RP1A090ZPTR Dodavatel
RP1A090ZPTR Distributor
RP1A090ZPTR Datová tabulka
RP1A090ZPTR Fotky
RP1A090ZPTR Cena
RP1A090ZPTR Nabídka
RP1A090ZPTR Nejnižší cena
RP1A090ZPTR Vyhledávání
RP1A090ZPTR Nákup
RP1A090ZPTR Chip