RJP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
Číslo dílu
RJP020N06T100
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-243AA
Dodavatelský balíček zařízení
MPT3
Ztráta energie (max.)
500mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
240 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
160pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±12V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43117 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RJP020N06T100
RJP020N06T100 Elektronické komponenty
RJP020N06T100 Odbyt
RJP020N06T100 Dodavatel
RJP020N06T100 Distributor
RJP020N06T100 Datová tabulka
RJP020N06T100 Fotky
RJP020N06T100 Cena
RJP020N06T100 Nabídka
RJP020N06T100 Nejnižší cena
RJP020N06T100 Vyhledávání
RJP020N06T100 Nákup
RJP020N06T100 Chip