RD3S100CNTL1
NCH 190V 10A POWER MOSFET
Číslo dílu
RD3S100CNTL1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252
Ztráta energie (max.)
85W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
190V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 51041 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RD3S100CNTL1
RD3S100CNTL1 Elektronické komponenty
RD3S100CNTL1 Odbyt
RD3S100CNTL1 Dodavatel
RD3S100CNTL1 Distributor
RD3S100CNTL1 Datová tabulka
RD3S100CNTL1 Fotky
RD3S100CNTL1 Cena
RD3S100CNTL1 Nabídka
RD3S100CNTL1 Nejnižší cena
RD3S100CNTL1 Vyhledávání
RD3S100CNTL1 Nákup
RD3S100CNTL1 Chip