RCJ120N20TL
MOSFET N-CH 200V 12A LPT
Číslo dílu
RCJ120N20TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
LPTS (SC-83)
Ztráta energie (max.)
1.56W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
325 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
740pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44699 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RCJ120N20TL
RCJ120N20TL Elektronické komponenty
RCJ120N20TL Odbyt
RCJ120N20TL Dodavatel
RCJ120N20TL Distributor
RCJ120N20TL Datová tabulka
RCJ120N20TL Fotky
RCJ120N20TL Cena
RCJ120N20TL Nabídka
RCJ120N20TL Nejnižší cena
RCJ120N20TL Vyhledávání
RCJ120N20TL Nákup
RCJ120N20TL Chip