Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RCD100N19TL
MOSFET N-CH 190V 10A CPT3
Číslo dílu
RCD100N19TL
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Not For New Designs
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
CPT3
Ztráta energie (max.)
850mW (Ta), 20W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
190V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
182 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7747 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RCD100N19TL
RCD100N19TL Elektronické komponenty
RCD100N19TL Odbyt
RCD100N19TL Dodavatel
RCD100N19TL Distributor
RCD100N19TL Datová tabulka
RCD100N19TL Fotky
RCD100N19TL Cena
RCD100N19TL Nabídka
RCD100N19TL Nejnižší cena
RCD100N19TL Vyhledávání
RCD100N19TL Nákup
RCD100N19TL Chip