Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
R8010ANX
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Číslo dílu
R8010ANX
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3 Full Pack
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220FM
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
560 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6080 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova R8010ANX
R8010ANX Elektronické komponenty
R8010ANX Odbyt
R8010ANX Dodavatel
R8010ANX Distributor
R8010ANX Datová tabulka
R8010ANX Fotky
R8010ANX Cena
R8010ANX Nabídka
R8010ANX Nejnižší cena
R8010ANX Vyhledávání
R8010ANX Nákup
R8010ANX Chip