Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
R6076MNZ1C9
MOSFET N-CHANNEL 600V 76A TO247
Číslo dílu
R6076MNZ1C9
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-247
Ztráta energie (max.)
740W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
76A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36035 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova R6076MNZ1C9
R6076MNZ1C9 Elektronické komponenty
R6076MNZ1C9 Odbyt
R6076MNZ1C9 Dodavatel
R6076MNZ1C9 Distributor
R6076MNZ1C9 Datová tabulka
R6076MNZ1C9 Fotky
R6076MNZ1C9 Cena
R6076MNZ1C9 Nabídka
R6076MNZ1C9 Nejnižší cena
R6076MNZ1C9 Vyhledávání
R6076MNZ1C9 Nákup
R6076MNZ1C9 Chip