Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
ES6U2T2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6
Číslo dílu
ES6U2T2R
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-563, SOT-666
Dodavatelský balíček zařízení
6-WEMT
Ztráta energie (max.)
700mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Schottky Diode (Isolated)
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1.8nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41208 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova ES6U2T2R
ES6U2T2R Elektronické komponenty
ES6U2T2R Odbyt
ES6U2T2R Dodavatel
ES6U2T2R Distributor
ES6U2T2R Datová tabulka
ES6U2T2R Fotky
ES6U2T2R Cena
ES6U2T2R Nabídka
ES6U2T2R Nejnižší cena
ES6U2T2R Vyhledávání
ES6U2T2R Nákup
ES6U2T2R Chip