Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
SVD5806NT4G

SVD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V DPAK
Číslo dílu
SVD5806NT4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
DPAK
Ztráta energie (max.)
40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
40V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
19 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9910 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova SVD5806NT4G
SVD5806NT4G Elektronické komponenty
SVD5806NT4G Odbyt
SVD5806NT4G Dodavatel
SVD5806NT4G Distributor
SVD5806NT4G Datová tabulka
SVD5806NT4G Fotky
SVD5806NT4G Cena
SVD5806NT4G Nabídka
SVD5806NT4G Nejnižší cena
SVD5806NT4G Vyhledávání
SVD5806NT4G Nákup
SVD5806NT4G Chip