Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD8P05
MOSFET P-CH 50V 8A I-PAK
Číslo dílu
RFD8P05
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-251AA
Ztráta energie (max.)
48W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
50V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
300 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6079 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD8P05
RFD8P05 Elektronické komponenty
RFD8P05 Odbyt
RFD8P05 Dodavatel
RFD8P05 Distributor
RFD8P05 Datová tabulka
RFD8P05 Fotky
RFD8P05 Cena
RFD8P05 Nabídka
RFD8P05 Nejnižší cena
RFD8P05 Vyhledávání
RFD8P05 Nákup
RFD8P05 Chip