Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
RFD4N06LSM9A
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Číslo dílu
RFD4N06LSM9A
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dodavatelský balíček zařízení
TO-252AA
Ztráta energie (max.)
30W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
600 mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
-
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15766 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova RFD4N06LSM9A
RFD4N06LSM9A Elektronické komponenty
RFD4N06LSM9A Odbyt
RFD4N06LSM9A Dodavatel
RFD4N06LSM9A Distributor
RFD4N06LSM9A Datová tabulka
RFD4N06LSM9A Fotky
RFD4N06LSM9A Cena
RFD4N06LSM9A Nabídka
RFD4N06LSM9A Nejnižší cena
RFD4N06LSM9A Vyhledávání
RFD4N06LSM9A Nákup
RFD4N06LSM9A Chip