NVTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
Číslo dílu
NVTR4502PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
400mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
30V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.13A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
200 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 15V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44221 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G Elektronické komponenty
NVTR4502PT1G Odbyt
NVTR4502PT1G Dodavatel
NVTR4502PT1G Distributor
NVTR4502PT1G Datová tabulka
NVTR4502PT1G Fotky
NVTR4502PT1G Cena
NVTR4502PT1G Nabídka
NVTR4502PT1G Nejnižší cena
NVTR4502PT1G Vyhledávání
NVTR4502PT1G Nákup
NVTR4502PT1G Chip