NVGS5120PT1G
MOSFET P-CH 60V 1.8A 6TSOP
Číslo dílu
NVGS5120PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Digi-Reel®
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
600mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
111 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
18.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
942pF @ 30V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7534 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVGS5120PT1G
NVGS5120PT1G Elektronické komponenty
NVGS5120PT1G Odbyt
NVGS5120PT1G Dodavatel
NVGS5120PT1G Distributor
NVGS5120PT1G Datová tabulka
NVGS5120PT1G Fotky
NVGS5120PT1G Cena
NVGS5120PT1G Nabídka
NVGS5120PT1G Nejnižší cena
NVGS5120PT1G Vyhledávání
NVGS5120PT1G Nákup
NVGS5120PT1G Chip