Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVGS3130NT1G
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
Číslo dílu
NVGS3130NT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SOT-23-6
Dodavatelský balíček zařízení
6-TSOP
Ztráta energie (max.)
600mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
935pF @ 16V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41651 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NVGS3130NT1G
NVGS3130NT1G Elektronické komponenty
NVGS3130NT1G Odbyt
NVGS3130NT1G Dodavatel
NVGS3130NT1G Distributor
NVGS3130NT1G Datová tabulka
NVGS3130NT1G Fotky
NVGS3130NT1G Cena
NVGS3130NT1G Nabídka
NVGS3130NT1G Nejnižší cena
NVGS3130NT1G Vyhledávání
NVGS3130NT1G Nákup
NVGS3130NT1G Chip