Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NVF2955T1G

NVF2955T1G

MOSFET P-CH 60V 2.6A SOT223
Číslo dílu
NVF2955T1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-261-4, TO-261AA
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-223 (TO-261)
Ztráta energie (max.)
1W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.6A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
170 mOhm @ 750mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.3nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
492pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25773 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NVF2955T1G
NVF2955T1G Elektronické komponenty
NVF2955T1G Odbyt
NVF2955T1G Dodavatel
NVF2955T1G Distributor
NVF2955T1G Datová tabulka
NVF2955T1G Fotky
NVF2955T1G Cena
NVF2955T1G Nabídka
NVF2955T1G Nejnižší cena
NVF2955T1G Vyhledávání
NVF2955T1G Nákup
NVF2955T1G Chip