NTRV4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23-3
Číslo dílu
NTRV4101PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
420mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
675pF @ 10V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 31988 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTRV4101PT1G
NTRV4101PT1G Elektronické komponenty
NTRV4101PT1G Odbyt
NTRV4101PT1G Dodavatel
NTRV4101PT1G Distributor
NTRV4101PT1G Datová tabulka
NTRV4101PT1G Fotky
NTRV4101PT1G Cena
NTRV4101PT1G Nabídka
NTRV4101PT1G Nejnižší cena
NTRV4101PT1G Vyhledávání
NTRV4101PT1G Nákup
NTRV4101PT1G Chip