Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTR2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
Číslo dílu
NTR2101PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23-3 (TO-236)
Ztráta energie (max.)
960mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
8V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
-
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
52 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1173pF @ 4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±8V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 29551 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NTR2101PT1G
NTR2101PT1G Elektronické komponenty
NTR2101PT1G Odbyt
NTR2101PT1G Dodavatel
NTR2101PT1G Distributor
NTR2101PT1G Datová tabulka
NTR2101PT1G Fotky
NTR2101PT1G Cena
NTR2101PT1G Nabídka
NTR2101PT1G Nejnižší cena
NTR2101PT1G Vyhledávání
NTR2101PT1G Nákup
NTR2101PT1G Chip