Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTE4151PT1G

NTE4151PT1G

MOSFET P-CH 20V 0.76A SC-89
Číslo dílu
NTE4151PT1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
SC-89, SOT-490
Dodavatelský balíček zařízení
SC-89-3
Ztráta energie (max.)
313mW (Tj)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
760mA (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 350mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
156pF @ 5V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
VGS (max.)
±6V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36879 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTE4151PT1G
NTE4151PT1G Elektronické komponenty
NTE4151PT1G Odbyt
NTE4151PT1G Dodavatel
NTE4151PT1G Distributor
NTE4151PT1G Datová tabulka
NTE4151PT1G Fotky
NTE4151PT1G Cena
NTE4151PT1G Nabídka
NTE4151PT1G Nejnižší cena
NTE4151PT1G Vyhledávání
NTE4151PT1G Nákup
NTE4151PT1G Chip