Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTBV5605T4G

NTBV5605T4G

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
Číslo dílu
NTBV5605T4G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
88W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
18.5A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
140 mOhm @ 8.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1190pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43365 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTBV5605T4G
NTBV5605T4G Elektronické komponenty
NTBV5605T4G Odbyt
NTBV5605T4G Dodavatel
NTBV5605T4G Distributor
NTBV5605T4G Datová tabulka
NTBV5605T4G Fotky
NTBV5605T4G Cena
NTBV5605T4G Nabídka
NTBV5605T4G Nejnižší cena
NTBV5605T4G Vyhledávání
NTBV5605T4G Nákup
NTBV5605T4G Chip