Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NTB52N10G

NTB52N10G

MOSFET N-CH 100V 52A D2PAK
Číslo dílu
NTB52N10G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D2PAK
Ztráta energie (max.)
2W (Ta), 178W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
135nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3150pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34492 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova NTB52N10G
NTB52N10G Elektronické komponenty
NTB52N10G Odbyt
NTB52N10G Dodavatel
NTB52N10G Distributor
NTB52N10G Datová tabulka
NTB52N10G Fotky
NTB52N10G Cena
NTB52N10G Nabídka
NTB52N10G Nejnižší cena
NTB52N10G Vyhledávání
NTB52N10G Nákup
NTB52N10G Chip