Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDDP010N25AZ-1H
MOSFET N-CH 250V 10A IPAK/TP
Číslo dílu
NDDP010N25AZ-1H
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK/TP
Ztráta energie (max.)
1W (Ta), 52W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
420 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
980pF @ 20V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21853 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDDP010N25AZ-1H
NDDP010N25AZ-1H Elektronické komponenty
NDDP010N25AZ-1H Odbyt
NDDP010N25AZ-1H Dodavatel
NDDP010N25AZ-1H Distributor
NDDP010N25AZ-1H Datová tabulka
NDDP010N25AZ-1H Fotky
NDDP010N25AZ-1H Cena
NDDP010N25AZ-1H Nabídka
NDDP010N25AZ-1H Nejnižší cena
NDDP010N25AZ-1H Vyhledávání
NDDP010N25AZ-1H Nákup
NDDP010N25AZ-1H Chip