Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDDL01N60Z-1G
MOSFET N-CH 600V 0.8A IPAK
Číslo dílu
NDDL01N60Z-1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Dodavatelský balíček zařízení
IPAK (TO-251)
Ztráta energie (max.)
26W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
800mA (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
4.9nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
92pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 9756 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDDL01N60Z-1G
NDDL01N60Z-1G Elektronické komponenty
NDDL01N60Z-1G Odbyt
NDDL01N60Z-1G Dodavatel
NDDL01N60Z-1G Distributor
NDDL01N60Z-1G Datová tabulka
NDDL01N60Z-1G Fotky
NDDL01N60Z-1G Cena
NDDL01N60Z-1G Nabídka
NDDL01N60Z-1G Nejnižší cena
NDDL01N60Z-1G Vyhledávání
NDDL01N60Z-1G Nákup
NDDL01N60Z-1G Chip