Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
NDBA100N10BT4H
MOSFET N-CH 100V 100A DPAK
Číslo dílu
NDBA100N10BT4H
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
D²PAK (TO-263)
Ztráta energie (max.)
110W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.9 mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 50V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V, 15V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 25366 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova NDBA100N10BT4H
NDBA100N10BT4H Elektronické komponenty
NDBA100N10BT4H Odbyt
NDBA100N10BT4H Dodavatel
NDBA100N10BT4H Distributor
NDBA100N10BT4H Datová tabulka
NDBA100N10BT4H Fotky
NDBA100N10BT4H Cena
NDBA100N10BT4H Nabídka
NDBA100N10BT4H Nejnižší cena
NDBA100N10BT4H Vyhledávání
NDBA100N10BT4H Nákup
NDBA100N10BT4H Chip